（二）弱結合界麵區斷裂行為
纖維從基體中拔出較長，纖維表麵光滑，沒有基體鋁粘在纖維表麵上。
（三）機械損傷纖維區的斷裂行為
這種斷口上的纖維有―部分是碎塊，實質上在這種已經拫傷的纖維區強度是很低的，在拉伸破壞時是一個斷裂源.對整個複合材料的強度有不利影響
（四）預製絲拔出
在一些斷口上，可以看到整束預製係斷裂後，並拔出來。這是由於預製絲表麵有一層氧化皮，在熱壓工藝中沒有破碎，預製絲之間沒有複合在一塊，所以拉伸斷裂時，整根預製絲拔出來。
用掃描電鏡觀察拉伸斷口表麵，從斷口的形貌特征可以鑒別和分析金屬基複合材料中纖維和基體之間界麵結合的強度，當界麵強度大於基體強度時，從界麵相鄰的基體處破壞，纖維表麵有一層基體金屬，當界麵強度小於基體強度時，纖維從基體中拔出，表麵光滑；纖維機械損傷在拉伸破壞時，往往形成裂源。
應用免疫電鏡技術鑒定大蒜病毒
免疫電鏡技術是利用電子顯微鏡在超微結構水平上研究免疫反應的一項新技術。在電鏡下可以直接觀察到病毒粒體外套，特異性強，陽性反應易於判斷，所以此技術在國外已廣泛應用於植物病毒的鑒定和研究。1973年提出了將抗血清包被在電子顯微鏡銅網支持膜上，可以將病毒粒體專化的“捕捉”在支持膜上，這是一種將免疫技術和電子顯微鏡技術相結合的鑒定方法。鑒於免疫電鏡法具有簡便、快速、靈敏、專化等優點，我們於1986年開始對大蒜主要病毒進行了免疫電鏡的檢測技術研究。同時對感染大蒜的複合病毒進行了鑒定、並獲得理想的結果。
材料和方法
供試病毒為大蒜複合病毒純化物。大蒜複合病毒抗血清由北京市農林科學院植環所製備，PVY抗血清由內蒙古大學提供，OYDV抗血清由法國植物病理站博士贈送，由農牧漁業部植物檢疫試驗所提供。免疫電鏡檢測方法：
一、捕捉法
將帶有支持膜的銅網置於混合抗血清（稀釋100倍)中靜置孵育30分鍾，重蒸水衝洗。然後將包被了抗血清的銅網覆蓋在病毒汁液上處理30分鍾，經重蒸水衝洗後以醋酸雙氧鈾染色5—10分鍾，吸去多餘液，室溫晾幹，電鏡觀察。全部試驗均在室溫下進行。
二、修飾法
在抗血清包被銅網和抗原處理後，再將銅網置於稀釋40倍的抗血清上處理30分鍾，經2醋酸雙氧鈾染色，H700中鏡觀察，所用抗血清為法國OYDV抗血清。
結果與討論
一、同源和異源抗血清對大蒜病毒的捕捉能力
結果表明抗體抗原同源組合能捕捉大量的呈陽性反應的病毒粒體，而異源關係或正常血清包被的銅網幾乎不能捕捉到病毒粒體或捕捉病毒粒體的能力弱。抗血清捕捉同源抗原大蒜病毒粒體的能力為正常血清的8—10倍。
二、抗血清稀釋度對捕捉大蒜病毒粒體的影響
GMV-GLV抗血清分別以生理鹽水係列稀釋為10-1—10-55種濃度，同時以正常血清的係列稀釋度為對照。實驗表明GMV-GLV。抗血清捕捉同源病毒（大蒜病毒)粒體數是隨稀釋倍數的增加而增加的。捕捉的最佳濃度為10。在抗血清稀釋倍數超過10-4時捕捉病毒粒體數有所下降。正常血清捕捉病毒粒體的數量則不受血清稀度的影響。當然最佳抗血清濃度是與抗原的濃度密切相關的，隨著抗原濃度的改變，最佳抗血清濃度也會有所改變。
三、抗血清包被銅網在抗原上孵育時間對捕捉病毒粒體數的影響
用抗血清最佳稀釋度10-3包被銅網，分別在大蒜複合病毒純化物上浸蘸5、30、60、120、240分鍾，觀察其捕捉病毒粒體的數量。以正常血清為對照。實驗結果表明抗原浸蘸5分鍾即可捕捉一定數量的病毒粒體，隨著浸蘸時間的增加病毒粒體數也增多，30分鍾後捕捉數量增加幅度不大。正常血清捕捉病毒粒體的數量不隨處理時間的延長而增加。
四、修飾法對大蒜主要病痗的鑒定
為了明確大蒜病毒的歸屬，選用洋蔥黃矮病毒、馬鈴薯病毒、馬鈴薯X病毒及白三葉草病毒等抗血清對大蒜複合病毒進行了免疫電鏡檢測。實驗結果表明隻有OYDV抗血清對大蒜中粒體長度為700~800nm的病毒粒體有修飾現象，而對長度在500—600nm的病毒粒體無修飾現象，從而證明大蒜複合病毒中有一種應歸屬於洋蔥黃矮病毒的病毒。
結論
用抗血清包被的銅網能專化性的將同源病毒粒體較多量地捕捉在銅網上。捕捉病毒粒體數的多少與病毒濃度、抗血清濃度、抗血清稀釋度及抗原孵育時間等因素密切相關。提出抵於500倍的血清稀釋度，其血清本身有抑製包被銅網上捕捉病毒粒體的能力，而稀釋度過高又會失去捕捉作用。本實驗結果表明，我們自己製備的抗血清捕捉大蒜病毒的最佳稀釋度10-3。血清效價的高低是影響最適稀釋度的主要因素。曾指出：當病毒含量低時，病毒粒體向銅網上擴散的速度成為銅網上吸附能力的限製因素。所以，適當延長抗原的孵育時間能增加吸附數量，特別是在病汁液含病毒濃度低時效果最佳。本實驗表明浸蘸30分鍾比浸蘸5分鍾捕捉的病毒粒體數多，增加幅度大，30分鍾以後遞增的幅度較小。
本試驗還表明，複合感染大蒜的病毒中，700—800nm的線狀病毒粒體可被OYDV抗血清修飾，回接脫毒蒜後，葉片明顯呈花葉症狀，顯然這種病毒就是前人所說的大蒜花葉病毒。也可以這樣認為：GMV是與OYDV相關的一個株係或者就是OYDV。
弱束暗場像技術及其在位錯反應研究中的應用
一、普通衍襯成像是強束成像，準確說，是小偏離矢量s下的強束成像。晶體中位錯附近應變場的分布特點是：真正的畸變中心處，晶格扭曲或晶麵偏轉嚴重，離開中心的鄰近區域，畸變急劇減弱，一定性質的位錯，存在著一定範圍的畸變場。衍襯成像的襯度實際就是由畸變場對衍射條件的補償造成的。普通的小s中心暗場像，位錯中心的晶麵嚴重偏轉不足以補償小s值，而離中心稍遠處的畸變場，在一個較寬範圍內正好可以抵消衍射條件的小s值，即在此較寬範圍內形成滿足布拉格條件的衍射帶入B，此即位錯線襯度的來源。衍射帶（即像）的邊沿距畸變中心約8—10nm帶（像)寬約8—1501X1。位錯線上早期沉澱物尺寸常常隻有大小，故強束像一般觀察不到早期沉澱過程。
歸納強束小5成像特點是：
（一)位錯像的位置，偏離真實畸變中心一定距離，一般為8—10nm。
（二)位錯像本身較寬，約為8—15nm。