Ⅱ-Ⅵ族半導體納米材料：合成與結構

正文 4.4ZnO-ZnS異質納米材料的生長機製（1 / 1）

基於以前對一邊有齒的納米帶的分析［146］，對合成納米環的生長機製描述：首先，一個沿著［011O終止的表麵是化學惰性的麵，沿著側表麵不可能生長，這樣齒趨於在（0001）Zn終止的表麵生長。而且發現纖鋅礦的ZnS和ZnO有相似的特征，也是（0001）Zn終止的表麵是化學活性的，ZnS薄膜容易生長在ZnO的（0001）Zn表麵。ZnS薄膜能在ZnO的（0001）Zn表麵生長是因為Zn終止的表麵有一個高的催化活性，這種特性趨於促進ZnS的生長。ZnO齒在ZnS薄膜形成後生長或者同時生長。由於ZnO和ZnS之間大的晶格失配，ZnS不能形成大量均勻的單晶層。齒的生長和帶的彎曲有利於釋放ZnO和ZnS層之間的晶格應變。考慮到ZnS的晶格常數比ZnO大，彎曲對ZnS造成一個壓縮應變，而對ZnO造成一個拉伸應變，這就是為什麼納米帶趨於向內彎曲的原因。而且，如果納米帶的厚度過大，界麵應變不能使納米帶彎曲，這樣，就形成了一邊有齒的直的納米帶。