（4）高起動轉矩、高功率因數、高效率
製冷設備的電動機起動負荷較大，要求有高起動轉矩，因而功率在1251以上的電動機，采用電容起動或電容起動電容運行電動機。目前全封閉壓縮機的單相電動機最大功率己達到1.7W左右，主要從定子槽滿率、矽鋼片特性和空氣隙上加以改進。從而得到較高狗功率因數和效率。
（5）對電壓波動的適應性
全封閉壓縮機電動機要求供電電源電壓的波動範圍一般不超過±10%，但電網電壓不穩定時，會引起電動機不能正常起動，電壓過高會使鐵心溫度上升，電壓過低使繞組溫度上升，都會引起壓縮機過熱。
（6）蒸發器用風扇電動機的技術要求
間冷式電冰箱箱內蒸發器風扇，由於使用在低溫、高濕的惡劣環境中，因此對風扇電機有嚴格的技術要求。使用中，用戶無須向電機加注潤滑油，運轉使用壽命可在3萬小時以上，輸入功率約8W，電機轉速在2100~2500，噪聲低於35。風扇電機型式分為罩極式和電容式兩種。磁極一部分套上罩極金屬短路環。集中繞組通入單相交流電流後，在磁極內產生磁通，磁通穿過短路環並在環內感應電攤，該電流阻止被短路環罩住部分的磁通變化，這就使得磁極被罩住部分的磁通與未被罩住部分的磁通不僅在數量上不同，而在相位上也滯後一個電角度。這兩個在空間位置不同、在時間上又有一定相位差的交變磁通，可以形成一個旋轉磁場，從而產生起動轉矩，使轉子由未被罩住部分向被罩住部分的方向旋轉。
風扇電動機也有的采用電阻分相起動型。即電動機有兩套電阻值不相同的繞組，隻有當它與壓縮機電機繞組並聯後，方可正常運行。
風扇電動機中電阻值大的端頭並聯在起動端上；公用端對公用端，電阻值小的端頭並聯在運行端上，這樣才能使風扇電動機正常起動和運轉。
4.電動機引出線柱
（1）結構
電動機供電電源通過封閉殼體時，采用專用引線柱。對引線柱和電極的要求：能與殼體有相似的膨脹係數，溫度變化時不發生破裂，有良好的絕緣性能，保證不泄漏製冷劑，電冰箱用電動機引線柱。
（2）電機引柱的判別
全封閉壓縮機的封閉殼體上的引柱數，大多為三個，少數為五個。對於三柱者，可用萬用表電阻檔測引柱間電阻。
當為五個引柱時，其中三個為電動機引柱，另二個為埋入式過熱保護觸點引柱。用萬用表電阻檔測量時，電機與保護觸點引柱之間不導通。另二個引柱間基本無電阻值，冷態時導通。如果這五個引柱間發生相互導通，說明已有短路故障。
六、電子技術知識
（一）半導體及其特性
顧名思義，半導體即其導電能力介乎導體與絕緣體之間，像桂、鍺、硒及大多數金屬氧化物和硫化物（例如氧化亞銅）和許多金屬間的化合物（例如二銻化三鎂等）都屬半導體。
半導體的主要特性：
①光敏特性。半導體受到強烈光線照射時，其導電性能就大大增強；當光線移開後，其導電性能又大大減弱，幾乎近於絕緣體。例如光電二級管、光電三級管和光敏電阻就是利用這一特點製成的。
②熱敏特性。當外界環境溫度升高時，半導體導電性能也隨溫度的升高而增強，例如純鍺，溫度從20℃升高到30℃電阻率就要降低一半左右。
③摻雜特性。純淨的半導體導電性極差，當摻入極微量的雜質，如磷，硼等，將使半導體的導電能力成幾十萬倍地增長。例如在純矽中加入百萬分之一的硼，矽的導電能力將增加五十多萬倍。利用這一特性適當改變摻雜量就可控製半導體的導電性能，從而做成各種各樣的半導體器件。
（二）N型半導體和P型半導體
（1）N型半導體
純淨的半導體在常溫下，電子和空穴這兩種載流子都很少，因此導電性能差。如果在純矽或鍺的晶體中摻入微量的磷或砷，將會有大量的自由電子出現，依靠自由電於來導電，導電性能變得很好，稱為電子型半導體或N型半導體。
（2）P型半導體
如果在矽或鍺的晶體中摻入硼或鋁，就會在晶體中出現大量的空穴。摻入的雜質越多，產生的空穴越多，電阻率越小，因而使半導體的導電性能變好，這種半導體主要靠空穴導電，故稱為空穴型半導體或P型半導體。
（三）PN結
利用特殊的工藝將N型和P型半導體結合在一起，在它們兩者交界處就會形成一個PN結，它是構成晶體二極管、三極管等半導體器件的基礎。
把P型和N型半導體緊密相連組成一體時，P區的空穴就向N區擴散，N區的電子同時向P區擴散，擴散作用的結果，在結合部位形成一個特殊的薄層，或稱為空間電荷區，一邊帶正電，一邊帶負電，該電荷區叫PN結。
PN結有單向導電性。
在PN結兩端加正向電壓時，正向電流較大（PN結正向電阻很小）；加反向電壓時，反向電流很小（PN結反向電阻很大）。空間電荷區變窄者為電阻較小，變寬者為電阻較大。
（四）半導體二極管
二極管是由一個凡結，外加接觸極引出線和管殼組成，二極管有兩個電極，有黑直線的一端叫陰極或負極，為~型半導體引出線，另一端叫陽極或正極，為P型半導體引出線。
二極管接上正向電壓時，隨著電壓增加，電流逐漸增大，但是當外加電壓很小時，正向電流很小，基本上處於截止狀態，如特性上的OA段，稱為死區。矽管的死區左右，鍺管為0.2左右。外加電壓超過死區電壓後，二極管正向導通時，電阻很小，壓降變化不大，矽管約為0.6~0.7，鍺管約為0.2~0.3。