這兩種導彈之間有巨大地差距，要這種代差，大概跟三代機與四代隱身機之間差不多，完全是吊打。
所以嘛....
有的時候，軍用和民用之間差距真的很，孟懷英原本隻是為了實現S射頻芯片功率大，才弄出SiGe BiS工藝，卻沒想到她搞出來的技術擁有非常廣闊地軍用前景。
在孟懷英的SiGe BiS工藝成功之際，由於當時射頻芯片在607所的微波暗室進行測試，結果出來之後，便被607所大神們敏銳地發現其軍用價值，這時候甚至都已經開始組件團隊基於該技術開發相控陣主動雷達導引頭。
主動雷達導引頭發展曆中，實際也並非一步到位的直接進入到相控陣雷達時代。
九十年代的主動雷達導引頭並不是相控陣體製，那時候是傳統的“機掃-平板縫隙線”雷達型化而來，包括美國AI-10、歐洲流星，以上這些皆如此。
相控陣主動雷達導引頭，那都是在000年之後才有所抬頭，此時的砷化镓/R組件型化逐漸成熟，又是日本最先吃螃蟹，他們研製於00年AA-4B中距彈就采用相控陣主動導引頭。
AA-4B采用有源相控陣主動導引頭，能夠提高探測距離、抗幹擾、在對一些雷達隱身目標的探測能力也還不錯，這實用化速度甚至比他美爹都來的更快。
現在九十年代初期，607所要準備上馬相控陣雷達主動導引頭，汪正國也能表示：你們高興便好。
上位麵之所以是在000年之後才開始有主動相控陣雷達頭，是因為早期“機掃-平板縫隙線”主動導引頭發展足夠成熟，畢竟那是美帝AI-10證明過的道路，後來者也都爭相效仿。
再有一點，砷化镓/R組件的型化一直到000年之後才逐漸成熟，並且還要把成本控製下去，否則又如何能用於空空導彈這種一次性產品中。
至於現在，隨著孟懷英提出SiGe BiS工藝，一次性解決了生產成本和型化兩個問題，唯一不足之處是功率方麵還是比不上砷化镓/R組件。
但很多問題都要一分為二的看待，如果不和砷化镓/R組件去比功率，轉而和同時期的AI-10、流星這些采用“機掃-平板縫隙線”導引頭相比，這兩者功率其實相差不大。
國內目前才剛把半主動雷達導引頭的課補上，主動雷達導引頭技術完全還沒想過，更不用從別處去找技術參考。
607所在相控陣雷達上麵有技術積累，現在正好找到比較合適的新型半導體工藝來生產適用於彈載導引頭的/R組件，那為什麼不能直接走相控路線？
隨著國內半導體加工精度不斷提高，采用SiGe BiS工藝製造的/R組件也會進一步增加功率，縱然無法跟采用砷化镓/R組件的主動雷達導引頭相比，但隻要能和同期一票“機掃-平板縫隙線”持平便夠了，況且SiGe BiS工藝製造的/R組件成本也能夠得到有效控製。
隻要拿出的產品性能可以和同時期國際水平相當，價格不比它們貴，至於采用什麼技術路線，這有太大關係嗎？
霹靂11導彈被魔都航局這個航口單位搶走，自此以後，航空係統內部就斷了中距彈項目，如果607所能率先搞出主動雷達導引頭，相信以航空口的魄力，還不得馬上全力支持，必須奪回中距空空彈市場，畢竟國內最強大的空空導彈研製力量依舊還是在航空口。
至於魔都航局，那不過是正好趁著霹靂11項目引進意大利技術而弄出來的項目，頂多是半路出家，而能生產空空導彈和能研製空空導彈，這是完全是不同概念。
按照607那邊所言，他們已經聯合014空空導彈研究院，雙方打算開始對下一代中距離空空導彈項目展開預研，準備弄一款能同美製AI10對抗的大家夥出來，徹底將魔都航口妄想把爪子伸進空空導彈領域的邪念斬斷。
有關607所和空空導彈研究院的野望，這並不是汪正國所關心，孟懷英雖然隱約猜到607所得到SiGe BiS工藝技術之後會將其用於軍工，但還是把工藝資料複製轉交一份，得到607所承諾1500萬人民幣技術引進資金。
沒辦法，現在607所民品項目大火，為瑤光電子配套的電腦主板性能也不錯，價格公道，每年盈利上億，現在可是中航係統內數得著的土豪。
有了第一筆收益，S射頻芯片項目部可謂興高采烈，孟懷英除了拿出50萬獎勵研發團隊，所餘資金則是再次被投入項目科研中。