（2）動態存儲器DRAM。在這種存儲器中，每一位存儲信息的單元是由電容器及控製它充放電的MOS管組成。如果電容充有電荷，稱為存儲“1”，如果電容放電，沒有電荷，稱為“0”，也就是說靠電容存儲電荷來保持信息。最簡單的存儲單元隻需一個MOS管和一個電容，稱為單管單元。由於動態存儲器的內部結構簡單，所以每塊存儲芯片的存儲容量可以做得很大，現在已經達到每片64M位。但是電容上的電荷會因各種泄漏電流而逐漸泄放掉，所以必須定期地補充電荷，稱為動態刷新，-這就是稱為動態存儲器的原因。以現在的技術條件，大約每隔2ms需刷新一遍，所以外圍電路要比靜態存儲器複雜一些。
3隻讀存儲器ROM
計算機係統中，往往有一些最基本的係統軟件是每一台機器都必須配置的，例如1BM-PC係列中的BIOS（基本輸入輸出係統）。一台專用的計算機，例如某個工廠的生產過程控製係統，一旦控製程序調試完畢，在應用過程中就固定不變了。又如前麵談到的微程序控製器，微程序就固化在一個控製存儲器由。這些固化的軟件都要求在工作中不被隨意改動，因而要求隻讀不寫，隻能被讀出執行，但不能在正常工作條件下寫入。相應地要求有一種隻讀存儲器ROM。在計算機中廣泛使用的隻讀型半導體存儲器可以分為三類：
（1）固定掩膜ROM。
在製作芯片時，一次固定存儲內容，不再改變。
（2）—次編程型PROM。
在出廠時存儲芯片內容為全0或全1，根據需要寫入信息，但寫入後就不可再改寫。例如一種熔斷型PROM芯片，每一位用一個晶體管加一段易溶物質，出廠時熔絲完好，晶體管可以通導，稱為“0”，如果要在某一位駕入“1”，就對晶體管通以較大的電流，將熔絲燒斷，管子不能通導，稱為“1”。這種芯片可作為通用器件提供用戶，在研製定型後再將內容寫入（俗稱燒入）PROM芯片。
（3）可重寫編程型EPROM。
這是一種最常用的隻讀存儲器芯片，幾乎所有的計算機係統中都應用它。最常用的浮柵型EPROM，它的每一位是一個浮柵型MOS管，其柵極被埋在很薄的絕緣層中，不往外引出，所以叫做浮。芯片的初始狀態是浮騰不帶電，管子不能通導，稱為全1。當需要寫人信息“0”時，對芯片加高壓（如25伏，具體數值應查手冊），絕緣層被瞬時擊穿，有電子注
入浮柵，在兩極間形成導電溝道，管子通導。+25伏電壓撤消後，浮柵中的電子不能穿越絕緣層泄放掉，相應地管子可在+5伏電源下通導，保持“0”。在正常工作電壓+5伏下，也不能向不帶電的浮柵注入電子，即不能寫入隻能讀出。如果要擦除芯片所存信息，可將芯片放在紫外線燈下照射10-20分鍾，浮柵中的電子從紫外線中得到能量，就能穿越絕緣層泄放掉，存儲信息回到初始狀態（全“1”）。這樣就可以在25伏下重新寫入。簡而言之，在高壓下寫入，在低壓下隻讀不，寫，在紫外線照射下擦除。
4半導體存儲芯片舉例
應用集成電路技術，能在一塊芯片上製造出許多位存儲單元，我們使用幾塊芯片就能構成相當大容量的主存儲器。在芯片內部將眾多的存儲單元排列成矩陳結構，分成若幹行、若幹例。下麵舉三個實例：
Intel公司生產的存儲芯片2114A，每片內共有4096位，組成1024x4位即IKx4位，024個單元，每個單元4位可用2片2114芯片組成1K字節。芯片是18腳封裝，如圖5-13示。1K單元的存儲空間，需要10位地址線A9~A。雙向數據線I/O，-I/O1，數據輸入與輸出都經過這四條線；片選^為低表示本芯片被選中，為低表示將數據寫入芯片，訪瓦為高表示從芯片中讀出數據。
Intel公司生產的41e4芯片是動態存儲器芯片，每片64K位，結構是64Kxl位，即64K單元，每單元1位，可用8塊4164芯片組成64K字節的存儲器。為了用8條地址線提供16位地址，訪問64K空間，采用複用技術，即隻設8條地址線A，-An.當行選信號R—低時，這8條地址線提供8位行地址，送入芯片內部的行地址鎖存器。當列選信號為低時，這8條地址線提供8位列地址，送入芯片內的列地址鎖存器i。D：為數據輸入端，D。為數據輸出端，經過變換也可以合並連到雙向數據總線上。片選與讀寫控製功能與上例相同，此外引腳1為自動刷新控製端。
5.半導體存儲器邏輯設計
存儲器邏輯的核心是尋址邏輯，即如何根據地址碼尋找所要訪問的存儲單元。下麵將結合一個例子說明半導體存儲器還輯設計的方法，怎樣用存儲芯片組成一定容量的存儲器。當然，對於初學者這可能有一定的困難，本節隻要求大$對一個半導體存儲器的組成及原理有一基本了解。
例：用2114（1KX4）芯片組成一個4Kx8的存儲器，並掛接於係統總線上。地址總線A15-A0，雙向數據總線D7~D8，控製信號R/f為高時，讀存儲器，為低時寫入存儲器。
（1）芯片數與連接方式。
共需4x2=8片。
由於每片2114隻有4位，需要兩片才能並聯為8位，即一個字節。一片的數據線與數據總線高四位相連，另一片與低四位相連。這兩片采用公共的地址線輸入，同時被選中，所以共用一個片選信號。
一片2114隻有1K空間，現在主存容量為4K，所以需要四組或者說四個模塊。低10位地址是用來選擇芯片內1K單元之一的，應作為公共地址輸入到每個2114芯片上。高位地址是用來選擇四組芯片之一，即選擇某一對芯片。高位地址經譯碼後產生不同片選信號，分別送至四組芯片。對應於某一地址碼，有一個片選信號有效，選中一組芯片。
（2）地址分配與片選邏輯。
究竟地址線怎樣連接？片選邏輯又如何確定呢？我們采取這樣一種設計思路：分析每一組芯片的容量，據此確定其地址輸入，剩下的高位地址按順序編碼確定片選邏輯。
（3）雙向數據線，!高4位和低4位與芯片相連。
（4）控製信號R/W，送往每一探片。
畫出邏輯圖。用一個2-4譯碼電路產生片選信號，即輸入二位地址與Aid，譯碼輸出四根片選信號CSo-CS3，對應每一輸入地址碼，四個片選信號中隻有一個有效，選中一組（2片）芯片。
6.動態存儲器的刷新
如前所述，動態存儲器芯片存儲信息的原理是靠電容存儲電荷，為了補充逐漸泄放掉的電荷，需要進行動態刷新。刷新的基本方法是讓每個芯片按行讀出並將讀出的內容重寫回去。當CPU訪問存儲器時，是由程序計數器PC提供指令地址，由指令提供操作數地址，它們是隨機的。而按行刷新時，需要提供行地址，讀寫內容也與執行程序不同，所以需要將存儲器的讀/寫周期與刷新周期分開。在讀/寫周期，按程序需要訪問存儲器；在刷新周期，由刷新地址計數器提供地址，按行刷新存儲器。
三、磁表麵存儲器記錄方式
在磁盤與磁帶存儲器中，用來記錄信息的是一層很薄的磁性材料，這種材料被磁化後會留下較強的剩磁，去掉磁化電流後，磁化狀態能夠長久地保持不變，如果不予以清除或進行新的磁化，所記錄的信息就能長久地保持在盤片上或磁帶上。所用的這種磁性材料稱為矩磁材料，其磁化特性曲線呈矩形回線狀。
為了進行磁化，需要一個記錄磁頭，形狀如圖5—17所沄。磁頭上繞有一個磁化線圈，磁頭的頭部有一個很小的間隙，使磁通可以流經磁頭下方的記錄磁層，將磁頭作用下的局部磁層磁化，留下一個相應的磁化區。電流方向變化，磁層上磁化方向也就改變。當記錄了信息的磁盤或磁帶經過讀出磁頭時（磁頭形狀與寫頭相似），由於磁層上剩磁磁通的變化，就會在讀磁頭的線圈中產生感應電勢，這個感應電勢就是讀出信號，經過放大後可以識別出磁層所記錄的信息。
怎樣定義磁化狀態（記錄狀態）的0與1呢？或者說，為了記錄某一組代碼，寫磁頭中的磁化電流應具有怎樣的電流波形呢？這稱為記錄方式。磁記錄方式已經經曆了許多變化，現在仍處於改進之中。最初是以正向磁飽和與負向磁飽和表示1或0，後來改進為以磁化狀態變與不變、變化相位（方向）、變化頻率不同來表示1或0，相應有不歸零-1製、調相製、調頻製及改進調頻製。給出了四種記錄方式的寫入電流波形圖，假定記錄代碼為001101。