原子晶體具有很大的硬度、很高的熔點、不導電、不易溶於任何溶劑，化學性質十分穩定。例如金剛石，由於碳原子半徑較小，共價鍵的強度很大，要破壞4個共價鍵或扭歪鍵角都需要很大能量，所以金剛石的硬度最大，熔點達3570℃，是所有單質中最高的。又如立方BN的硬度近於金剛石。因此，原子晶體在工業上多被用作耐磨、耐熔或耐火材料。金剛石、金剛砂都是極重要的磨料；SiO2是應用極廣的耐火材料；石英和它的變體，如水晶、紫晶、燧石和瑪瑙等，是工業上的貴重材料；SiC、BN（立方）、Si3N4等是性能良好的高溫結構材料。
有些物質，如炭黑及人工合成的粉體材料，其外觀並無規整外形，但結構測定表明，它們是由微細晶體構成的多晶態物質，常稱為微晶體。
多晶體由很多細小晶粒結合而成，晶粒間由界麵相互隔開，晶粒的結構和成份可以是同一的，也可以是異類的。多晶體中每一小晶粒雖有各向異性，但由於晶粒的混亂排列，總體上一般不表現出各向異性。天然礦物、工業中的金屬和陶瓷等材料都是多晶體物質。
單晶體是由一個微小的晶核各向均勻生長而成，其內部的粒子基本上按其特有的規律整齊排列，具有典型的晶體結構和突出的晶體的特性。
七、金屬晶體
1.結合力：金屬鍵力（無飽和性、方向性）。
2.堆積方式：緊密堆積（質點間作用力，使質點間盡可能的相互接近使它們占有最小的空間）。
名稱晶格類型配位數空間利用律為體心立方緊密堆積，體心立方是80.6802；麵心立方緊密堆積，麵心立方是120.7405；六方緊密堆積，六方是120.7405。
八、晶體缺陷
1.產生缺陷的原因是什麼
298K時每1015個晶格點中僅有一個缺陷。
NaCl在780K時，每106個晶格點中僅有一個缺陷。1080K時，每104個晶格點中僅有一個缺陷，在0K時，分子傾向於完全有序的排布。隨著溫度的升高，離子脫離晶格的機會加大，質子發生位移，而使晶體產生空穴。
2.缺陷的幾種形式
兩種離子雙位移缺陷。
正離子雙離位缺陷
特點：
（1）晶格中同時有一個負離子和一個正離子脫離，而出現一對空穴，形成離子雙離位缺陷。
（2）具有高配位數n=6，n=8，正負離子半徑相接近的離子型化合物易形成這種缺陷。
如：NaCl、CsCl、KCl、KBr等。
正離子單離位缺陷
特點：
（1）由於有一個離子占入間充位置而未占入它的正確的晶格位置上，在晶格中出現一個“空穴”而形成正離子單離位缺陷。
（2）低配位數，正負離子半徑差別大時易形成正離子單離位。
如：ZnS、AgCl、AgBr、AgI等。
3.對物理性質的影響
產生缺陷所需的能量，約為200KJ/mol，形成一種缺陷比破壞晶格容易；產生部分導電性，離子機理導電；
導電機理：n—半導體（金屬過量）；
p—半導體（金屬短缺）。
a.由於缺少陰離子而引起的金屬過量缺陷
雙離位缺陷晶體形成的被電子占據空位稱顏色中心，中心升高，顏色升高，電子升高e-吸收光躍入導帶。