RRAM走向商業化
存儲
作者：Lucas Mearian
RRAM的出現正在挑戰NAND的地位，而Crossbar公司對關鍵性技術難題的解決，使它的開發進入到下一個階段。
雖然從FRAM到相變式存儲器，新的技術不斷湧現，但目前它們還都不能撼動NAND的地位。不過，最近阻變式存儲器（RRAM）的出現似乎要改變這一切，三星、閃迪等存儲器巨頭都在其中進行了投入，而走在最前列的是一家美國創業公司Crossbar。
阻變式存儲器（Resistive Random Access Memory，RRAM）是可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫內存技術，它是一種根據施加在金屬氧化物（Metal Oxide）上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻態和低阻態間發生相應變化，從而開啟或阻斷電流流動通道，並利用這種性質儲存各種信息的內存。
RRAM挑戰NAND
目前，多家新型非易失性內存生產商認為，RRAM已準備從原型階段進入到投產階段，即將生產和測試郵票般大小、存儲容量卻高達1TB的芯片。
矽穀初創公司Crossbar預計，它的一些3D電阻式內存（3D RRAM）產品有望在2016年上市，用做可穿戴設備裏麵的內存，固態硬盤等高密度存儲設備會在之後18個月內問世。
相比NAND閃存，RRAM具有先天的優勢。目前，NAND閃存在密度方麵已經走到盡頭，RRAM的密度天生比NAND要高，並擁有更高的性能。據Crossbar公司市場營銷和業務開發副總裁Dylvain Dubois介紹，Crossbar的3D RRAM非常耐用，擦寫周期多達10萬次。
由於密度更大，RRAM將來能夠使用大小隻是目前NAND閃存廠商所用一半的矽晶片。在一塊芯片上，其存儲容量是NAND閃存的近10倍，存儲1bit數據的功耗卻隻有NAND閃存的1/20。據Crossbar聲稱，其延遲也要比NAND閃存低100倍，這意味著性能將大幅提升。
另外，由於RRAM與NAND生產工廠已經采用的製造工藝完全兼容，生產設施不需要做任何變動。不過在技術投產之前，Crossbar必須克服一大技術障礙，即內存單元之間會出現導致錯誤的電子泄漏。
技術突破助力商業化
電子泄漏是非易失性內存的一個通病，即便在今天，使用NAND閃存的固態硬盤也不例外。晶體管尺寸縮小到20納米以下，同時芯片密度增加後，存儲在微小內存單元上的數據就會泄漏到相鄰的內存單元，導致數據出現錯誤。